Energy Dependence of the Nernst-Ettingshausen Effect Induced By Pulsed Laser Light in Bismuth Films

Sanchez Balmaseda, Margarita; González de Sande, Juan Carlos y Guerra Perez, Jose Manuel (1994). Energy Dependence of the Nernst-Ettingshausen Effect Induced By Pulsed Laser Light in Bismuth Films. "Physical review B", v. 50 (n. 19); pp. 14561-14564. ISSN 0031-899X. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.14561.

Descripción

Título: Energy Dependence of the Nernst-Ettingshausen Effect Induced By Pulsed Laser Light in Bismuth Films
Autor/es:
  • Sanchez Balmaseda, Margarita
  • González de Sande, Juan Carlos
  • Guerra Perez, Jose Manuel
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physical review B
Fecha: Noviembre 1994
Volumen: 50
Materias:
Escuela: E.U.I.T. Telecomunicación (UPM) [antigua denominación]
Departamento: Ingeniería de Circuitos y Sistemas [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The behavior with the irradiation energy and with the magnetic field of the thermomagnetic response induced by laser pulses in 5.5-μm Bi films at room temperature is reported in this paper. The Nernst-Ettingshausen coefficient at an applied magnetic field of 1 T is estimated: QNE≃1.0×10-5 V/T K. A good agreement is found when these results are compared with those reported earlier in polycrystalline bulk samples obtained by a conventional method. This supports the reliability of the pulsed laser technique in the measurement of weak transport effects and indicates that the optically pumped carriers hardly influence the transport properties of bismuth.

Más información

ID de Registro: 10125
Identificador DC: http://oa.upm.es/10125/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:10125
Identificador DOI: 10.1103/PhysRevB.50.14561
URL Oficial: http://prb.aps.org/abstract/PRB/v50/i19/p14561_1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Ene 2012 11:33
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 18:22
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