Modelling of quantum dot solar cells for concentrator PV applications

Ogura, A.; Morioka, T.; García-Linares Fontes, Pablo; Hernández Martín, Estela; Ramiro Gonzalez, Iñigo; Artacho Huertas, Irene; Antolín Fernández, Elisa; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; Yamaguchi, M. y Okada, Y. (2011). Modelling of quantum dot solar cells for concentrator PV applications. En: "37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2011", 19/06/2011 - 24/06/2011, Seattle, EEUU. ISBN 978-1-4244-9965-6.

Descripción

Título: Modelling of quantum dot solar cells for concentrator PV applications
Autor/es:
  • Ogura, A.
  • Morioka, T.
  • García-Linares Fontes, Pablo
  • Hernández Martín, Estela
  • Ramiro Gonzalez, Iñigo
  • Artacho Huertas, Irene
  • Antolín Fernández, Elisa
  • Martí Vega, Antonio
  • Luque López, Antonio
  • Yamaguchi, M.
  • Okada, Y.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2011
Fechas del Evento: 19/06/2011 - 24/06/2011
Lugar del Evento: Seattle, EEUU
Título del Libro: Proceedings of 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2011
Fecha: 2011
ISBN: 978-1-4244-9965-6
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

An equivalent circuit model is applied in order to describe the operation characteristics of quantum dot intermediate band solar cells (QD-IBSCs), which accounts for the recombination paths of the intermediate band (IB) through conduction band (CB), the valence band (VB) through IB, and the VB-CB transition. In this work, fitting of the measured dark J-V curves for QD-IBSCs (QD region being non-doped or direct Si-doped to n-type) and a reference GaAs p-i-n solar cell (no QDs) were carried out using this model in order to extract the diode parameters. The simulation was then performed using the extracted diode parameters to evaluate solar cell characteristics under concentration. In the case of QDSC with Si-doped (hence partially-filled) QDs, a fast recovery of the open-circuit voltage (Voc) was observed in a range of low concentration due to the IB effect. Further, at around 100X concentration, Si-doped QDSC could outperform the reference GaAs p-i-n solar cell if the current source of IB current source were sixteen times to about 10mA/cm2 compared to our present cell.

Más información

ID de Registro: 11604
Identificador DC: http://oa.upm.es/11604/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11604
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?reload=true&arnumber=6186491&contentType=Conference+Publications
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 17 Jul 2012 09:22
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 19:37
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