Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks

Bengoechea Encabo, Ana; Barbagini, Francesca; Fernández-Garrido, Sergio; Grandal Quintana, Javier; Ristic, Jelena; Sánchez García, Miguel Angel; Calleja Pardo, Enrique; Jahn, U.; Luna García de la Infanta, Esperanza y Trampert, Achim (2011). Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks. "Journal of Crystal Growth", v. 325 (n. 1); pp. 89-92. ISSN 0022-0248. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.04.035.

Descripción

Título: Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks
Autor/es:
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Barbagini, Francesca
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Grandal Quintana, Javier
  • Ristic, Jelena
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Jahn, U.
  • Luna García de la Infanta, Esperanza
  • Trampert, Achim
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Crystal Growth
Fecha: 2011
Volumen: 325
Materias:
Palabras Clave Informales: A3. MBE; A3. Selective area growth; B1. GaN nanocolumns
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The influence of the substrate temperature, III/V flux ratio, and mask geometry on the selective area growth of GaN nanocolumns is investigated. For a given set of growth conditions, the mask design (diameter and pitch of the nanoholes) is found to be crucial to achieve selective growth within the nanoholes. The local III/V flux ratio within these nanoholes is a key factor that can be tuned, either by modifying the growth conditions or the mask geometry. On the other hand, some specific growth conditions may lead to selective growth but not be suitable for subsequent vertical growth. With optimized conditions, ordered GaN nanocolumns can be grown with a wide variety of diameters. In this work, ordered GaN nanocolumns with diameter as small as 50 nm are shown.

Más información

ID de Registro: 11859
Identificador DC: http://oa.upm.es/11859/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11859
Identificador DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.04.035
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024811004210
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 15 Oct 2012 10:02
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:02
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