InN/InGaN multiple quantum wells emitting at 1.5 mu m grown by molecular beam epitaxy

Grandal Quintana, Javier; Pereiro Viterbo, Juan; Bengoechea Encabo, Ana; Fernández-Garrido, Sergio; Sánchez García, Miguel Angel; Muñoz Merino, Elias; Calleja Pardo, Enrique; Luna García de la Infanta, Esperanza y Trampert, Achim (2011). InN/InGaN multiple quantum wells emitting at 1.5 mu m grown by molecular beam epitaxy. "Applied Physics Letters", v. 98 (n. 6); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.3552195.

Descripción

Título: InN/InGaN multiple quantum wells emitting at 1.5 mu m grown by molecular beam epitaxy
Autor/es:
  • Grandal Quintana, Javier
  • Pereiro Viterbo, Juan
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Muñoz Merino, Elias
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Luna García de la Infanta, Esperanza
  • Trampert, Achim
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Febrero 2011
Volumen: 98
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

This work reports on the growth by molecular beam epitaxy and characterization of InN/InGaN multiple quantum wells (MQWs) emitting at 1.5 μm. X-ray diffraction (XRD) spectra show satellite peaks up to the second order. Estimated values of well (3 nm) and barrier (9 nm) thicknesses were derived from transmission electron microscopy and the fit between experimental data and simulated XRD spectra. Transmission electron microscopy and XRD simulations also confirmed that the InGaN barriers are relaxed with respect to the GaN template, while the InN MQWs grew under biaxial compression on the InGaN barriers. Low temperature (14 K) photoluminescence measurements reveal an emission from the InN MQWs at 1.5 μm. Measurements as a function of temperature indicate the existence of localized states, probably due to InN quantum wells’ thickness fluctuations as observed by transmission electron microscopy.

Más información

ID de Registro: 11860
Identificador DC: http://oa.upm.es/11860/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11860
Identificador DOI: 10.1063/1.3552195
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 17 Oct 2012 07:26
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:02
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