High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy

Gacevic, Zarko; Fernández-Garrido, Sergio; Rebled, J.M.; Estradé, S.; Peiró, F. y Calleja Pardo, Enrique (2011). High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy. "Applied Physics Letters", v. 99 (n. 3); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.3614434.

Descripción

Título: High quality InAlN single layers lattice-matched to GaN grown by molecular beam epitaxy
Autor/es:
  • Gacevic, Zarko
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Rebled, J.M.
  • Estradé, S.
  • Peiró, F.
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: 2011
Volumen: 99
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We report on properties of high quality ~60 nm thick InAlN layers nearly in-plane lattice-matched to GaN, grown on c-plane GaN-on-sapphire templates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Excellent crystalline quality and low surface roughness are confirmed by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and atomic force microscopy. High annular dark field observations reveal a periodic in-plane indium content variation (8 nm period), whereas optical measurements evidence certain residual absorption below the band-gap. The indium fluctuation is estimated to be +/- 1.2% around the nominal 17% indium content via plasmon energy oscillations assessed by electron energy loss spectroscopy with sub-nanometric spatial resolution.

Más información

ID de Registro: 11863
Identificador DC: http://oa.upm.es/11863/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11863
Identificador DOI: 10.1063/1.3614434
URL Oficial: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i3/p031103_s1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 11 Oct 2012 12:58
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:02
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