Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography

Bengoechea Encabo, Ana; Steven, Albert; Sánchez García, Miguel Angel; López, L.L.; Estradé, S.; Rebled, J.M.; Peiró, F.; Nataf, G.; Mierry, P. de; Zuniga Perez, J. y Calleja Pardo, Enrique (2012). Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography. "Journal of Crystal Growth", v. 353 (n. 1); pp. 1-4. ISSN 0022-0248.

Descripción

Título: Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Autor/es:
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Steven, Albert
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • López, L.L.
  • Estradé, S.
  • Rebled, J.M.
  • Peiró, F.
  • Nataf, G.
  • Mierry, P. de
  • Zuniga Perez, J.
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Crystal Growth
Fecha: Agosto 2012
Volumen: 353
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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URL Oficial: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.11.069,

Resumen

Selective area growth of a-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy was performed for the first time on a-plane GaN templates. Ti masks with 150 nm diameter nanoholes were fabricated by colloidal lithography, an easy, fast and cheap process capable to handle large areas. Even though colloidal lithography does not provide a perfect geometrical arrangement like e-beam lithography, it produces a very homogeneous mask in terms of nanohole diameter and density, and is used here for the first time for the selective area growth of GaN. Selective area growth of a-plane GaN nanocolumns is compared, in terms of anisotropic lateral and vertical growth rates, with GaN nanocolumns grown selectively on the c-plane

Más información

ID de Registro: 11868
Identificador DC: http://oa.upm.es/11868/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11868
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 27 Sep 2012 09:01
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:03
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