Extreme ultraviolet detection using AlGaN-on-Si inverted Schottky photodiodes

Malinowski, Pawel E.; Duboz, Jean-Yves; Moor, Piet de; Minoglou, Kyriaki; John, Joachim; Horcajo, Sara Martin; Semond, Fabrice; Frayssinet, Eric; Verhoeve, Peter; Esposito, Marco; Giordanengo, Boris; BenMoussa, Ali; Mertens, Robert y Van Hoof, Chris (2011). Extreme ultraviolet detection using AlGaN-on-Si inverted Schottky photodiodes. "Applied Physics Letters", v. 98 (n. 14); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.3576914.

Descripción

Título: Extreme ultraviolet detection using AlGaN-on-Si inverted Schottky photodiodes
Autor/es:
  • Malinowski, Pawel E.
  • Duboz, Jean-Yves
  • Moor, Piet de
  • Minoglou, Kyriaki
  • John, Joachim
  • Horcajo, Sara Martin
  • Semond, Fabrice
  • Frayssinet, Eric
  • Verhoeve, Peter
  • Esposito, Marco
  • Giordanengo, Boris
  • BenMoussa, Ali
  • Mertens, Robert
  • Van Hoof, Chris
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: 2011
Volumen: 98
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We report on the fabrication of aluminum gallium nitride (AlGaN) Schottky diodes for extreme ultraviolet (EUV) detection. AlGaN layers were grown on silicon wafers by molecular beam epitaxy with the conventional and inverted Schottky structure, where the undoped, active layer was grown before or after the n-doped layer, respectively. Different current mechanisms were observed in the two structures. The inverted Schottky diode was designed for the optimized backside sensitivity in the hybrid imagers. A cut-off wavelength of 280 nm was observed with three orders of magnitude intrinsic rejection ratio of the visible radiation. Furthermore, the inverted structure was characterized using a EUV source based on helium discharge and an open electrode design was used to improve the sensitivity. The characteristic He I and He II emission lines were observed at the wavelengths of 58.4 nm and 30.4 nm, respectively, proving the feasibility of using the inverted layer stack for EUV detection

Más información

ID de Registro: 11918
Identificador DC: http://oa.upm.es/11918/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11918
Identificador DOI: 10.1063/1.3576914
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 01 Oct 2012 09:14
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:06
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