Enhanced iron gettering by short, optimized low-temperature annealing after phosphorus emitter diffusion for industrial silicon solar cell processing

Hofstetter, Jasmin; Lelievre, Jean Francoise; Fenning, David P.; Bertoni, Mariana I.; Buonassisi, Tonio; Luque López, Antonio y Cañizo Nadal, Carlos del (2011). Enhanced iron gettering by short, optimized low-temperature annealing after phosphorus emitter diffusion for industrial silicon solar cell processing. "Physica Status Solidi (c)", v. 8 (n. 3); pp. 759-762. ISSN 1610-1642. https://doi.org/10.1002/pssc.201000334.

Descripción

Título: Enhanced iron gettering by short, optimized low-temperature annealing after phosphorus emitter diffusion for industrial silicon solar cell processing
Autor/es:
  • Hofstetter, Jasmin
  • Lelievre, Jean Francoise
  • Fenning, David P.
  • Bertoni, Mariana I.
  • Buonassisi, Tonio
  • Luque López, Antonio
  • Cañizo Nadal, Carlos del
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physica Status Solidi (c)
Fecha: 2011
Volumen: 8
Materias:
Palabras Clave Informales: P gettering;simulation;silicon solar cells;defect engineering
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The introduction of a low-temperature (LT) tail after P emitter diffusion was shown to lead to considerable improvements in electron lifetime and solar cell performance by different researchers. So far, the drawback of the investigated extended gettering treatments has been the lack of knowledge about optimum annealing times and temperatures and the important increase in processing time. In this manuscript, we calculate optimum annealing temperatures of Fe-contaminated Si wafers for different annealing durations. Subsequently, it is shown theoretically and experimentally that a relatively short LT tail of 15 min can lead to a significant reduction of interstitial Fe and an increase in electron lifetime. Finally, we calculate the potential improvement of solar cell efficiency when such a short-tail extended P diffusion gettering is included in an industrial fabrication process.

Más información

ID de Registro: 11942
Identificador DC: http://oa.upm.es/11942/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:11942
Identificador DOI: 10.1002/pssc.201000334
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201000334/abstract
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Mar 2013 08:01
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 10:52
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