Ion Beam irradiation of copper nitride: electronic vs elastic-collision mechanism

Gordillo Garcia, Nuria; Gonzalez Arrabal, Raquel; Rivera de Mena, Antonio; Munnik, F. y Agullo Lopez, Fernando (2011). Ion Beam irradiation of copper nitride: electronic vs elastic-collision mechanism. En: "20th International Conference on Ion Beam Analysis, IBA", 10/04/2011 - 15/04/2011, Itapema, Brasil.

Descripción

Título: Ion Beam irradiation of copper nitride: electronic vs elastic-collision mechanism
Autor/es:
  • Gordillo Garcia, Nuria
  • Gonzalez Arrabal, Raquel
  • Rivera de Mena, Antonio
  • Munnik, F.
  • Agullo Lopez, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: 20th International Conference on Ion Beam Analysis, IBA
Fechas del Evento: 10/04/2011 - 15/04/2011
Lugar del Evento: Itapema, Brasil
Título del Libro: Proceedings of 20th International Conference on Ion Beam Analysis, IBA
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Industriales (UPM)
Departamento: Ingeniería Nuclear [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Copper nitride is a metastable material which results very attractive because of their potential to be used in functional device. Cu3 N easily decomposes into Cu and N2 by annealing [1] or irradiation (electron, ions, laser) [2, 3]. Previous studies carried out in N-rich Cu3 N films irradiated with Cu at 42MeV evidence a very efficient sputtering of N whose yield (5×10 3 atom/ion), for a film with a thickness of just 100 nm, suggest that the origin of the sputtering has an electronic nature. This N depletion was observed to be responsible for new phase formation ( Cu2 O) and pure Cu [4]

Más información

ID de Registro: 12501
Identificador DC: http://oa.upm.es/12501/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12501
URL Oficial: http://www.iba2011.org/site/tiki-index.php
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 08 Ago 2012 09:04
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:46
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