Ta2O5/SiO2 insulating acoustic mirrors for AlN-based X-band BAW resonators

Capilla Osorio, José; Olivares Roza, Jimena; Clement Lorenzo, Marta; Felmetsger, Valeriy y Devos, Arnaud (2011). Ta2O5/SiO2 insulating acoustic mirrors for AlN-based X-band BAW resonators. En: "IEEE International Ultrasonics Symposium 2011", 18/10/2011 - 21/10/2011, Orlando, EE. UU.. pp. 1704-1707. https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2011.0425.

Descripción

Título: Ta2O5/SiO2 insulating acoustic mirrors for AlN-based X-band BAW resonators
Autor/es:
  • Capilla Osorio, José
  • Olivares Roza, Jimena
  • Clement Lorenzo, Marta
  • Felmetsger, Valeriy
  • Devos, Arnaud
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: IEEE International Ultrasonics Symposium 2011
Fechas del Evento: 18/10/2011 - 21/10/2011
Lugar del Evento: Orlando, EE. UU.
Título del Libro: Proceedings of IEEE International Ultrasonics Symposium 2011
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (435kB) | Vista Previa

Resumen

This work describes the performance of AlN-based bulk acoustic wave resonators built on top of insulating acoustic reflectors and operating at around 8 GHz. The acoustic reflectors are composed of alternate layers of amorphous Ta2O5and SiO2 deposited at room temperature by pulsed-DC reactive sputtering in Ar/O2 atmospheres. SiO2 layers have a porous structure that provides a low acoustic impedance of only 9.5 MRayl. Ta2O5 films exhibit an acoustic impedance of around 39.5 MRayl that was assessed by the picoseconds acoustic technique These values allow to design acoustic mirrors with transmission coefficients in the centre of the band lower than -40 dB (99.998 % of reflectance) with only seven layers. The resonators were fabricated by depositing a very thin AlN film onto an iridium bottom electrode 180 nm-thick and by using Ir or Mo layers as top electrode. Resonators with effective electromechanical coupling factors of 5.7% and quality factors at the antiresonant frequency around 600 are achieved.

Más información

ID de Registro: 12634
Identificador DC: http://oa.upm.es/12634/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12634
Identificador DOI: 10.1109/ULTSYM.2011.0425
URL Oficial: http://ewh.ieee.org/conf/ius_2011/IUS2011/technical_program/papers/paper_submission.html
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 01 Ago 2012 11:50
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:54
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM