Growth of AlN oriented films on insulating substrates.

Olivares Roza, Jimena; Capilla Osorio, José; Clement Lorenzo, Marta; Sangrador García, Jesús y Iborra Grau, Enrique (2011). Growth of AlN oriented films on insulating substrates.. En: "IEEE International Ultrasonics Symposium 2011", 18/10/2011 - 21/10/2011, Orlando, EEUU. pp. 1716-1719.


Título: Growth of AlN oriented films on insulating substrates.
  • Olivares Roza, Jimena
  • Capilla Osorio, José
  • Clement Lorenzo, Marta
  • Sangrador García, Jesús
  • Iborra Grau, Enrique
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: IEEE International Ultrasonics Symposium 2011
Fechas del Evento: 18/10/2011 - 21/10/2011
Lugar del Evento: Orlando, EEUU
Título del Libro: Proceedings of IEEE International Ultrasonics Symposium 2011
Fecha: 2011
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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This work describes the structural and piezoelectric assessment of aluminum nitride (AlN) thin films deposited by pulsed-DC reactive sputtering on insulating substrates. We investigate the effect of different insulating seed layers on AlN properties (crystallinity, residual stress and piezoelectric activity). The seed layers investigated, silicon nitride (Si3N4), silicon dioxide (SiO2), amorphous tantalum oxide (Ta2O5), and amorphous or nano-crystalline titanium oxide (TiO2) are deposited on glass plates to a thickness lower than 100 nm. Before AlN films deposition, their surface is pre-treated with a soft ionic cleaning, either with argon or nitrogen ions. Only AlN films grown of TiO2 seed layers exhibit a significant piezoelectric activity to be used in acoustic device applications. Pure c-axis oriented films, with FWHM of rocking curve of 6º, stress below 500 MPa, and electromechanical coupling factors measured in SAW devices of 1.25% are obtained. The best AlN films are achieved on amorphous TiO2 seed layers deposited at high target power and low sputtering pressure. On the other hand, AlN films deposited on Si3N4, SiO2 and TaOx exhibit a mixed orientation, high stress and very low piezoelectric activity, which invalidate their use in acoustic devices.

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ID de Registro: 12636
Identificador DC:
Identificador OAI:
Identificador DOI: 10.1109/ULTSYM.2011.0428
URL Oficial:
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 01 Ago 2012 11:40
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 11:54
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