Control of the morphology on selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted

Bengoechea Encabo, Ana; Albert, Steven; Barbagini, Francesca; Lefebvre, P.; Sánchez García, Miguel Angel; Calleja Pardo, Enrique; Luna García de la Infanta, Esperanza y Trampert, Achim (2011). Control of the morphology on selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted. En: "9th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS9", 10/07/2011 - 15/07/2011, Glasgow, UK. pp..

Descripción

Título: Control of the morphology on selective area growth of GaN nanocolumns by rf-plasma-assisted
Autor/es:
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Albert, Steven
  • Barbagini, Francesca
  • Lefebvre, P.
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Luna García de la Infanta, Esperanza
  • Trampert, Achim
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: 9th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS9
Fechas del Evento: 10/07/2011 - 15/07/2011
Lugar del Evento: Glasgow, UK
Título del Libro: Proceeings of 9th International Conference on Nitride Semiconductors - ICNS9
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Selective area growth (SAG) of GaN nanocolumns (NCs), making use of patterned or masked (nanoholes) substrates, yields a periodic, homogeneous distribution of nanostructures, that makes their processing much easier compared with self-assembled ones. In addition, the control on the diameter and density of NCs avoids dispersion in the electrooptical characteristics of the heterostructures based on this type of material (embedded InGaN/GaN quantum disks for example). Selective area growth using a mask with nanohole arrays has been demonstrated by rf-plasma-assisted MBE [1, 2].

Más información

ID de Registro: 12867
Identificador DC: http://oa.upm.es/12867/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12867
URL Oficial: http://www.icns9.org/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 26 Feb 2013 09:51
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:11
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