Fabrication and characterization at high temperature of AlGaN/GaN enhancement HEMTs

Martin Horcajo, Sara; Tadjer, Marko Jak; Romero Rojo, Fátima; Cuerdo Bragado, Roberto y Calle Gómez, Fernando (2011). Fabrication and characterization at high temperature of AlGaN/GaN enhancement HEMTs. En: "8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011", 08/02/2011 - 11/02/2011, Palma de Mallorca, España. ISBN 978-1-4244-7863-7. pp..

Descripción

Título: Fabrication and characterization at high temperature of AlGaN/GaN enhancement HEMTs
Autor/es:
  • Martin Horcajo, Sara
  • Tadjer, Marko Jak
  • Romero Rojo, Fátima
  • Cuerdo Bragado, Roberto
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011
Fechas del Evento: 08/02/2011 - 11/02/2011
Lugar del Evento: Palma de Mallorca, España
Título del Libro: Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011
Fecha: 2011
ISBN: 978-1-4244-7863-7
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Enhancement-mode (E-mode) high electron mobility transistors (HEMTs) based on a standard AlGaN/GaN heterostructure have been fabricated using two different methods: 19F implantation and fluorine-based plasma treatment. The need of a thermal annealing after both treatments has been proven in order to restore the ID and gm levels. DC characterization at high temperature has demonstrated that ID and gm decrease reversibly due to the reduction of the electron mobility and the drift velocity. Pulsed measurements (state period and variable pulse width) have been performed to study the self-heating effects.

Más información

ID de Registro: 12913
Identificador DC: http://oa.upm.es/12913/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12913
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=5744183
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 12 Dic 2012 18:11
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:14
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