Synthesis and characterization of GaAsSb-capped InAs-based QDIPs

Yamamoto, K.; Ulloa Herrero, José María; Hierro Cano, Adrián y Fernández González, Alvaro de Guzmán (2011). Synthesis and characterization of GaAsSb-capped InAs-based QDIPs. En: "38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)", 22/05/2011 - 26/05/2011, Berlin, Alemania. pp..

Descripción

Título: Synthesis and characterization of GaAsSb-capped InAs-based QDIPs
Autor/es:
  • Yamamoto, K.
  • Ulloa Herrero, José María
  • Hierro Cano, Adrián
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
Fechas del Evento: 22/05/2011 - 26/05/2011
Lugar del Evento: Berlin, Alemania
Título del Libro: Proceedings of 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Quantum dot infrared photodetectors (QDIPs) are very attractive for infrared imaging applications due to its promising features such as high temperature operation, normal incidence response and low dark current [1]. However, the key issue is to obtain a high quality active region which requires a structural optimization of the nanostructures. With using GaAsSb capping layer, the optical properties, such as the PL intensity and its full width at half maximum (FWHM), of InAs QDs have been improved in the range between 1.15 and 1.5 m, because of the reduction of the compressive strain in QDs and the increment of QD height [2]. In this work, we have demonstrated strong and narrow intraband photoresponse spectra from GaAsSb-capped InAs-based QDIPs

Más información

ID de Registro: 12948
Identificador DC: http://oa.upm.es/12948/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12948
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Nov 2012 11:26
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:15
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