Mid-infrared photodetectors based on GaAsSb-capped InAs quantum dots

Ulloa Herrero, José María; Fernández González, Alvaro de Guzmán; Hierro Cano, Adrián y Yamamoto, K. (2011). Mid-infrared photodetectors based on GaAsSb-capped InAs quantum dots. En: "Proceedings Spanish-Japanese Workshop 2011", 14/09/2011 - 16/09/2011, Toledo (Spain) 2011. pp..

Descripción

Título: Mid-infrared photodetectors based on GaAsSb-capped InAs quantum dots
Autor/es:
  • Ulloa Herrero, José María
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Hierro Cano, Adrián
  • Yamamoto, K.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: Proceedings Spanish-Japanese Workshop 2011
Fechas del Evento: 14/09/2011 - 16/09/2011
Lugar del Evento: Toledo (Spain) 2011
Título del Libro: Proceedings Spanish-Japanese Workshop 2011
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Quantum dot infrared photodetectors (QDIPs) are very attractive for many applications such as infrared imaging, remote sensing and gas sensing, thanks to its promising features such as high temperature operation, normal incidence response and low dark current [1]. However, the key issue is to obtain a high-quality active region which requires an optimization of the nanostructure. By using GaAsSb capping layer, InAs QDs have improved their optical emission in the range between 1.15 and 1.3 m (at Sb composition of 14 %), due to a reduction of a compressive strain in QD and an increment of a QD height [2]. In this work, we have demonstrated strong and narrow intraband photoresponses at ~ 5 m from GaAsSb-capped InAs/GaAs QDIPs under normal light-incidence.

Más información

ID de Registro: 12950
Identificador DC: http://oa.upm.es/12950/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12950
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Ene 2013 08:33
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:16
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