E-beam nanopatterning for the selective area growth of III-V nitride nanorods

Barbagini, Francesca; Martinez Rodrigo, Javier; Bengoechea Encabo, Ana; Albert, Steven; Sánchez García, Miguel Angel y Calleja Pardo, Enrique (2011). E-beam nanopatterning for the selective area growth of III-V nitride nanorods. En: "37th International Conference on Micro and Nano Engineering", 10/09/2011 - 23/09/2011, Berlin, Alemania. pp..

Descripción

Título: E-beam nanopatterning for the selective area growth of III-V nitride nanorods
Autor/es:
  • Barbagini, Francesca
  • Martinez Rodrigo, Javier
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Albert, Steven
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: 37th International Conference on Micro and Nano Engineering
Fechas del Evento: 10/09/2011 - 23/09/2011
Lugar del Evento: Berlin, Alemania
Título del Libro: Proceedings 37th International Conference on Micro and Nano Engineering, September 19-23, 2011,
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

GaN/InGaN nanorods have attracted much scientific interest during the last decade because of their unique optical and electrical properties [1,2]. The high crystal quality and the absence of extended defects make them ideal candidates for the fabrication of high efficiency opto-electronic devices such as nano-photodetectors, light-emitting diodes, and solar cells [1-3]. Nitrides nanorods are commonly grown in the self-assembled mode by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) [4]. However, self-assembled nanorods are characterized by inhomogeneous heights and diameters, which render the device processing very difficult and negatively affect the electronic transport properties of the final device. For this reason, the selective area growth (SAG) mode has been proposed, where the nanorods preferentially grow on pre-defined sites on a pre-patterned substrate [5].

Más información

ID de Registro: 12990
Identificador DC: http://oa.upm.es/12990/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12990
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 25 Ene 2013 12:41
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:17
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