High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs

Martin Horcajo, Sara; Tadjer, Marko Jak; Di Forte Poisson, M-A.; Sarazin, N.; Morvan, E.; Dua, C.; Cuerdo Bragado, Roberto y Calle Gómez, Fernando (2011). High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs. En: "9th International Conference on Nitride Semiconductors", 10/07/2012 - 15/07/2012, Glasgow (UK),. pp..

Descripción

Título: High Temperature Pulsed and DC Performance of AlInN/GaN HEMTs
Autor/es:
  • Martin Horcajo, Sara
  • Tadjer, Marko Jak
  • Di Forte Poisson, M-A.
  • Sarazin, N.
  • Morvan, E.
  • Dua, C.
  • Cuerdo Bragado, Roberto
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: 9th International Conference on Nitride Semiconductors
Fechas del Evento: 10/07/2012 - 15/07/2012
Lugar del Evento: Glasgow (UK),
Título del Libro: 9th International Conference on Nitride Semiconductors
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) have been considered as promising candidates for the next generation of high temperature, high frequency, high-power devices. The potential of GaN-based HEMTs may be improved using an AlInN barrier because of its better lattice match to GaN, resulting in higher sheet carrier densities without piezoelectric polarization [1]. This work has been focused on the study of AlInN HEMTs pulse and DC mode characterization at high temperature.

Más información

ID de Registro: 13578
Identificador DC: http://oa.upm.es/13578/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:13578
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 25 Feb 2013 10:59
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:54
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