Optical and structural properties of InAlN/GaN Bragg reflectors examined by transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy

Eljarrat, A.; Gacevic, Zarko; Fernández-Garrido, Sergio; Calleja Pardo, Enrique; Magén, C.; Estradé, S. y Peiró, F. (2011). Optical and structural properties of InAlN/GaN Bragg reflectors examined by transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy. En: "2nd Joint Congress Of The Portuguese And Spanish Microscopy Societies", 18/10/2011 - 21/10/2012, Aveiro, Portugal. pp. 1-3.

Descripción

Título: Optical and structural properties of InAlN/GaN Bragg reflectors examined by transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy
Autor/es:
  • Eljarrat, A.
  • Gacevic, Zarko
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Magén, C.
  • Estradé, S.
  • Peiró, F.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: 2nd Joint Congress Of The Portuguese And Spanish Microscopy Societies
Fechas del Evento: 18/10/2011 - 21/10/2012
Lugar del Evento: Aveiro, Portugal
Título del Libro: Proceedings of 2nd Joint Congress Of The Portuguese And Spanish Microscopy Societies
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Molecular beam epitaxy growth of ten-period lattice-matched InAlN/GaN distributed Bragg reflectors (DBRs) with peak reflectivity centered around 400nm is reported including optical and transmission electron microscopy (TEM) measurements [1]. Good periodicity heterostructures with crack-free surfaces were confirmed, but, also a significant residual optical absorption below the bandgap was measured. The TEM characterization ascribes the origin of this problem to polymorfism and planar defects in the GaN layers and to the existence of an In-rich layer at the InAlN/GaN interfaces. In this work, several TEM based techniques have been combined.

Más información

ID de Registro: 13580
Identificador DC: http://oa.upm.es/13580/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:13580
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 21 Nov 2012 12:53
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:54
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