Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications

Gacevic, Zarko; Lefebvre, P.; Calleja Pardo, Enrique; Bertram, F.; Schmidt, G.; Veit, P. y Christen, J. (2011). Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications. En: "International Conference on Nitride Semiconductors 2011", 10/07/2011 - 15/07/2011, Glasgow, UK. pp. 1-3.

Descripción

Título: Growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots for violet/blue applications
Autor/es:
  • Gacevic, Zarko
  • Lefebvre, P.
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Bertram, F.
  • Schmidt, G.
  • Veit, P.
  • Christen, J.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: International Conference on Nitride Semiconductors 2011
Fechas del Evento: 10/07/2011 - 15/07/2011
Lugar del Evento: Glasgow, UK
Título del Libro: Proceedings International Conference on Nitride Semiconductors 2011
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We report on plasma-assisted molecular beam epitaxy growth and characterization of InGaN/GaN quantum dots (QDs) for violet/blue applications.

Más información

ID de Registro: 13581
Identificador DC: http://oa.upm.es/13581/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:13581
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 25 Feb 2013 10:01
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:54
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