Selective ablation with UV lasers of a-Si:H thin film solar cells in direct scribing configuration

Lauzurica Santiago, Sara; García-Ballesteros Ramírez, Juan José; Colina Brito, Mónica; Sanchez Aniorte, Maria Isabel y Molpeceres Álvarez, Carlos Luis (2011). Selective ablation with UV lasers of a-Si:H thin film solar cells in direct scribing configuration. "Applied Surface Science", v. 257 (n. 12); pp. 5230-5236. ISSN 0169-4332. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.09.088.

Descripción

Título: Selective ablation with UV lasers of a-Si:H thin film solar cells in direct scribing configuration
Autor/es:
  • Lauzurica Santiago, Sara
  • García-Ballesteros Ramírez, Juan José
  • Colina Brito, Mónica
  • Sanchez Aniorte, Maria Isabel
  • Molpeceres Álvarez, Carlos Luis
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Surface Science
Fecha: Abril 2011
Volumen: 257
Materias:
Palabras Clave Informales: Laser scribing; Selective ablation; a-Si:H
Escuela: E.T.S.I. Industriales (UPM)
Departamento: Física Aplicada a la Ingeniería Industrial [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Monolithical series connection of silicon thin-film solar cells modules performed by laser scribing plays a very important role in the entire production of these devices. In the current laser process interconnection the two last steps are developed for a configuration of modules where the glass is essential as transparent substrate. In addition, the change of wavelength in the employed laser sources is sometimes enforced due to the nature of the different materials of the multilayer structure which make up the device. The aim of this work is to characterize the laser patterning involved in the monolithic interconnection process in a different configurations of processing than the usually performed with visible laser sources. To carry out this study, we use nanosecond and picosecond laser sources working at 355nm of wavelength in order to achieve the selective ablation of the material from the film side. To assess this selective removal of material has been used EDX (energy dispersive using X-ray) analysis

Más información

ID de Registro: 15522
Identificador DC: http://oa.upm.es/15522/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:15522
Identificador DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.09.088
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433210013231
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 08 Dic 2013 12:42
Ultima Modificación: 21 Ago 2017 11:41
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