Investigation of the Epitaxial Graphene/p-SiC Heterojunction

Anderson, Travis J.; Hobart, Karl D.; Nyakiti, Luke O.; Wheeler, Virginia D.; Myers-Ward, Rachael L.; Caldwell, Joshua D.; Bezares, Francisco J.; Jernigan, Glenn Geoffrey; Tadjer, Marko Jak; Imhoff, Eugene A.; Koehler, Andrew D.; Gaskill, D. Kurt; Eddy Jr., Charles R. y Kub, Francis J. (2012). Investigation of the Epitaxial Graphene/p-SiC Heterojunction. "Ieee Electron Device Letters", v. 33 (n. 11); pp. 1610-1612. ISSN 0741-3106. https://doi.org/10.1109/LED.2012.2211562.

Descripción

Título: Investigation of the Epitaxial Graphene/p-SiC Heterojunction
Autor/es:
  • Anderson, Travis J.
  • Hobart, Karl D.
  • Nyakiti, Luke O.
  • Wheeler, Virginia D.
  • Myers-Ward, Rachael L.
  • Caldwell, Joshua D.
  • Bezares, Francisco J.
  • Jernigan, Glenn Geoffrey
  • Tadjer, Marko Jak
  • Imhoff, Eugene A.
  • Koehler, Andrew D.
  • Gaskill, D. Kurt
  • Eddy Jr., Charles R.
  • Kub, Francis J.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Ieee Electron Device Letters
Fecha: Noviembre 2012
Volumen: 33
Materias:
Palabras Clave Informales: Graphene, heterojunction, semiconductor (SiC)
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

There has been significant research in the study of in-plane charge-carrier transport in graphene in order to understand and exploit its unique electrical properties; however, the vertical graphene–semiconductor system also presents opportunities for unique devices. In this letter, we investigate the epitaxial graphene/p-type 4H-SiC system to better understand this vertical heterojunction. The I–V behavior does not demonstrate thermionic emission properties that are indicative of a Schottky barrier but rather demonstrates characteristics of a semiconductor heterojunction. This is confirmed by the fitting of the temperature-dependent I–V curves to classical heterojunction equations and the observation of band-edge electroluminescence in SiC.

Más información

ID de Registro: 15752
Identificador DC: http://oa.upm.es/15752/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:15752
Identificador DOI: 10.1109/LED.2012.2211562
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=06302165
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 17 Jun 2013 19:05
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:03
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