Profiling the temperature distribution in AlGaN/GaN HEMTs with nanocrystalline diamond heat spreading layers

Anderson, Travis J.; Tadjer, Marko Jak; Hobart, Karl D.; Feygelson, Tatyana I.; Caldwell, Joshua D.; Mastro, Michael A.; Hite, Jennifer K.; Eddy Jr., Charles R.; Kub, Francis J. y Pate, Bradford B. (2012). Profiling the temperature distribution in AlGaN/GaN HEMTs with nanocrystalline diamond heat spreading layers. En: "CSManTech Conference", 23/04/2012-26-04/2012, Boston, Massachusetts, USA. pp..

Descripción

Título: Profiling the temperature distribution in AlGaN/GaN HEMTs with nanocrystalline diamond heat spreading layers
Autor/es:
  • Anderson, Travis J.
  • Tadjer, Marko Jak
  • Hobart, Karl D.
  • Feygelson, Tatyana I.
  • Caldwell, Joshua D.
  • Mastro, Michael A.
  • Hite, Jennifer K.
  • Eddy Jr., Charles R.
  • Kub, Francis J.
  • Pate, Bradford B.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: CSManTech Conference
Fechas del Evento: 23/04/2012-26-04/2012
Lugar del Evento: Boston, Massachusetts, USA
Título del Libro: Profiling the temperature distribution in AlGaN/GaN HEMTs with nanocrystalline diamond heat spreading layers
Título de Revista/Publicación: CS Mantech Conference Digest
Fecha: Abril 2012
Materias:
Palabras Clave Informales: Wide bandgap, GaN, HEMT, nanocrystalline diamond, raman spectroscopy
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Reduced performance in Gallium Nitride (GaN) based high electron mobility transistors (HEMTs) as a result of self-heating has been well-documented. A new approach, termed “diamond-before-gate" is shown to improve the thermal budget of the deposition process and enables large area diamond without degrading the gate metal NCD capped devices had a 20% lower channel temperature at equivalent power dissipation.

Más información

ID de Registro: 15756
Identificador DC: http://oa.upm.es/15756/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:15756
URL Oficial: http://gaasmantech.com/Digests/2012/papers/11a.5.091.pdf
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Jun 2013 12:21
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:03
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