Oxygen photo-adsorption related quenching of photoluminescence in group-III nitride nanocolumns

Lefebvre, P.; Albert, Steven; Ristic, Jelena; Fernández-Garrido, Sergio; Grandal Quintana, Javier; Sánchez García, Miguel Angel y Calleja Pardo, Enrique (2012). Oxygen photo-adsorption related quenching of photoluminescence in group-III nitride nanocolumns. "Superlattices and Microstructures", v. 52 (n. 2); pp. 165-171. ISSN 0749-6036. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2012.05.001.

Descripción

Título: Oxygen photo-adsorption related quenching of photoluminescence in group-III nitride nanocolumns
Autor/es:
  • Lefebvre, P.
  • Albert, Steven
  • Ristic, Jelena
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Grandal Quintana, Javier
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Superlattices and Microstructures
Fecha: Agosto 2012
Volumen: 52
Materias:
Palabras Clave Informales: Nanocolumns; Nanowires; Group III nitrides; GaN; InGaN; Photoluminescence; Surface effects
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

GaN and InGaN nanocolumns of various compositions are studied by room-temperature photoluminescence (PL) under different ambient conditions. GaN nanocolumns exhibit a reversible quenching upon exposure to air under constant UV excitation, following a t−1/2 time dependence and resulting in a total reduction of intensity by 85–90%, as compared to PL measured in vacuum, with no spectral change. This effect is not observed when exposing the samples to pure nitrogen. We attribute this effect to photoabsorption and photodesorption of oxygen that modifies the surface potential bending. InGaN nanocolumns, under the same experimental conditions do not show the same quenching features: The high-energy part of the broad PL line is not modified by exposure to air, whereas a lower-energy part, which does quench by 80–90%, can now be distinguished. We discuss the different behaviors in terms of carrier localization and possible composition or strain gradients in the InGaN nanocolumns.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7228999SMASHSin especificarSmart Nanostructured Semiconductors for Energy-Saving Light Solutions

Más información

ID de Registro: 15769
Identificador DC: http://oa.upm.es/15769/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:15769
Identificador DOI: 10.1016/j.spmi.2012.05.001
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603612001279
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 22 Jul 2013 18:19
Ultima Modificación: 26 Ene 2015 14:35
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