Vertical conduction properties of few-layer epitaxial graphene / n-type 4H-SiC heterojunctions at cryogenic temperatures

Tadjer, Marko Jak; Anderson, Travis J.; Hobart, Karl D.; Nyakiti, Luke O.; Wheeler, Virginia D.; Myers-Ward, Rachael L.; Gaskill, D. Kurt; Eddy Jr., Charles R.; Kub, Francis J. y Calle Gómez, Fernando (2012). Vertical conduction properties of few-layer epitaxial graphene / n-type 4H-SiC heterojunctions at cryogenic temperatures. "Applied Physics Letters" (n. 100); pp. 193506-193509. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4712621.

Descripción

Título: Vertical conduction properties of few-layer epitaxial graphene / n-type 4H-SiC heterojunctions at cryogenic temperatures
Autor/es:
  • Tadjer, Marko Jak
  • Anderson, Travis J.
  • Hobart, Karl D.
  • Nyakiti, Luke O.
  • Wheeler, Virginia D.
  • Myers-Ward, Rachael L.
  • Gaskill, D. Kurt
  • Eddy Jr., Charles R.
  • Kub, Francis J.
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: 10 Mayo 2012
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Vertical diodes of epitaxial graphene on n 4H-SiC were investigated. The graphene Raman spectraexhibited a higher intensity in the G-line than the 2D-line, indicative of a few-layer graphene film.Rectifying properties improved at low temperatures as the reverse leakage decreased over six ordersof magnitude without freeze-out in either material. Carrier concentration of 10 16 cm 3in the SiCremained stable down to 15 K, while accumulation charge decreased and depletion width increasedin forward bias. The low barrier height of 0.08 eV and absence of recombination-induced emissionindicated majority carrier field emission as the dominant conduction mechanism.

Más información

ID de Registro: 15779
Identificador DC: http://oa.upm.es/15779/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:15779
Identificador DOI: 10.1063/1.4712621
URL Oficial: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i19/p193506_s1?isAuthorized=no
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 15 Jun 2013 11:30
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:04
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