Critical Role of Two-Dimensional Island-Mediated Growth on the Formation of Semiconductor Heterointerfaces

Luna García de la Infanta, Esperanza; Fernández González, Alvaro de Guzmán; Trampert, Achim y Álvarez Galindo, Gabriel (2012). Critical Role of Two-Dimensional Island-Mediated Growth on the Formation of Semiconductor Heterointerfaces. "Physical Review Letters", v. 109 ; pp. 126101-126105. ISSN 0031-9007. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.126101.

Descripción

Título: Critical Role of Two-Dimensional Island-Mediated Growth on the Formation of Semiconductor Heterointerfaces
Autor/es:
  • Luna García de la Infanta, Esperanza
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Trampert, Achim
  • Álvarez Galindo, Gabriel
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physical Review Letters
Fecha: 11 Octubre 2012
Volumen: 109
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We experimentally demonstrate a sigmoidal variation of the composition profile across semiconductor heterointerfaces. The wide range of material systems (III-arsenides, III-antimonides, III-V quaternary compounds, III-nitrides) exhibiting such a profile suggests a universal behavior. We show that sigmoidal profiles emerge from a simple model of cooperative growth mediated by twodimensional island formation, wherein cooperative effects are described by a specific functional dependence of the sticking coefficient on the surface coverage. Experimental results confirm that, except in the very early stages, island growth prevails over nucleation as the mechanism governing the interface development and ultimately determines the sigmoidal shape of the chemical profile in these two-dimensional grown layers. In agreement with our experimental findings, the model also predicts a minimum value of the interfacial width, with the minimum attainable value depending on the chemical identity of the species.

Más información

ID de Registro: 16022
Identificador DC: http://oa.upm.es/16022/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16022
Identificador DOI: 10.1103/PhysRevLett.109.126101
URL Oficial: http://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.109.126101
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 26 Jun 2013 16:45
Ultima Modificación: 27 Abr 2016 07:54
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