Absorption coefficient for the intraband transitions in quantum dot materials

Luque López, Antonio; Martí Vega, Antonio; Mellor Null, Alexander Virgil; Fuertes Marrón, David; Tobías Galicia, Ignacio y Antolín Fernández, Elisa (2013). Absorption coefficient for the intraband transitions in quantum dot materials. "Progress in Photovoltaics: Research and Applications", v. 21 (n. 4); pp. 658-667. ISSN 1062-7995.

Descripción

Título: Absorption coefficient for the intraband transitions in quantum dot materials
Autor/es:
  • Luque López, Antonio
  • Martí Vega, Antonio
  • Mellor Null, Alexander Virgil
  • Fuertes Marrón, David
  • Tobías Galicia, Ignacio
  • Antolín Fernández, Elisa
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics: Research and Applications
Fecha: Junio 2013
Volumen: 21
Materias:
Palabras Clave Informales: intermediate band solar cell; absorption; quantum dot; quantum calculations
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.1250/abstract

Resumen

In this paper, we present calculations of the absorption coefficient for transitions between the bound states of quantum dots grown within a semiconductor and the extended states of the conduction band. For completeness, transitions among bound states are also presented. In the separation of variables, single band k·p model is used in which most elements may be expressed analytically. The analytical formulae are collected in the appendix of this paper. It is concluded that the transitions are strong enough to provide a quick path to the conduction band for electrons pumped from the valence to the intermediate band

Más información

ID de Registro: 16087
Identificador DC: http://oa.upm.es/16087/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16087
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 01 Jul 2013 17:12
Ultima Modificación: 01 Jul 2015 22:56
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