Interstitial Ti for intermediate band formation in Ti-supersaturated silicon

Pastor Pastor, David; Olea Ariza, Javier; Muñoz Martín, Ángel; Climent Font, Aurelio; Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán (2012). Interstitial Ti for intermediate band formation in Ti-supersaturated silicon. "Journal of Applied Physics", v. 112 (n. 11); pp.. ISSN 0021-8979. https://doi.org/10.1063/1.4768274.

Descripción

Título: Interstitial Ti for intermediate band formation in Ti-supersaturated silicon
Autor/es:
  • Pastor Pastor, David
  • Olea Ariza, Javier
  • Muñoz Martín, Ángel
  • Climent Font, Aurelio
  • Mártil de la Plaza, Ignacio
  • González Díaz, Germán
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: 2012
Volumen: 112
Materias:
Palabras Clave Informales: elemental semiconductors, interstitials, Rutherford backscattering, secondary ion mass spectra, silicon, time of flight mass spectra, titanium
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We have analyzed by means of Rutherford backscattering spectrometry (RBS) the Ti lattice location and the degree of crystalline lattice recovery in heavily Ti implanted silicon layers subsequently pulsed laser melted (PLM). Theoretical studies have predicted that Ti should occupy interstitial sites in silicon for a metallic-intermediate band (IB) formation. The analysis of Ti lattice location after PLM processes is a crucial point to evaluate the IB formation that can be clarifyied by means of RBS measurements. After PLM, time-of-flight secondary ion mass spectrometry measurements show that the Ti concentration in the layers is well above the theoretical limit for IB formation. RBS measurements have shown a significant improvement of the lattice quality at the highest PLM energy density studied. The RBS channeling spectra reveals clearly that after PLM processes Ti impurities are mostly occupying interstitial lattice sites.

Más información

ID de Registro: 16098
Identificador DC: http://oa.upm.es/16098/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16098
Identificador DOI: 10.1063/1.4768274
URL Oficial: http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v112/i11/p113514_s1?isAuthorized=no
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 06 Jul 2013 09:11
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:26
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