Effect of the oxygen isoelectronic substitution in Cu2ZnSnS4 and its photovoltaic application

Tablero Crespo, César (2012). Effect of the oxygen isoelectronic substitution in Cu2ZnSnS4 and its photovoltaic application. "Thin Solid Films", v. 520 (n. 15); pp. 5011-5013. ISSN 0040-6090. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2012.03.020.

Descripción

Título: Effect of the oxygen isoelectronic substitution in Cu2ZnSnS4 and its photovoltaic application
Autor/es:
  • Tablero Crespo, César
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Thin Solid Films
Fecha: 31 Mayo 2012
Volumen: 520
Materias:
Palabras Clave Informales: Electronic structure; Semiconductors; Impurities; Photovoltaics
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The optoelectronic properties of Cu2ZnSnS4 and environmental considerations have attracted significant interest for photovoltaics. Using first-principles, we analyze the possible improvement of this material as a photovoltaic absorber via the isoelectronic substitution of S with O atoms. The evolution of the acceptor level is analyzed with respect to the atomic position of the nearest neighbors of the O atom. We estimate the maximum efficiency of this compound when used as a light absorber. The presence of the sub-band gap level below the conduction band could increases the solar-energy conversion with respect to the host.

Más información

ID de Registro: 16117
Identificador DC: http://oa.upm.es/16117/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16117
Identificador DOI: 10.1016/j.tsf.2012.03.020
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609012002799
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Jul 2013 07:25
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:27
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