Electronic and photon absorber properties of Cr-Doped Cu2ZnSnS4

Tablero Crespo, César (2012). Electronic and photon absorber properties of Cr-Doped Cu2ZnSnS4. "Journal of Physical Chemistry C", v. 116 (n. 44); pp. 23224-23230. ISSN 1932-7447. https://doi.org/10.1021/jp306283v.

Descripción

Título: Electronic and photon absorber properties of Cr-Doped Cu2ZnSnS4
Autor/es:
  • Tablero Crespo, César
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Physical Chemistry C
Fecha: Noviembre 2012
Volumen: 116
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The Cu2ZnSnS4 (CZTS) semiconductor is a potential photovoltaic material due to its optoelectronic properties. These optoelectronic properties can be potentially improved by the insertion of intermediate states into the energy bandgap. We explore this possibility using Cr as an impurity. We carried out first-principles calculations within the density functional theory analyzing three substitutions: Cu, Sn, or Zn by Cr. In all cases, the Cr introduces a deeper band into the host energy bandgap. Depending on the substitution, this band is full, empty, or partially full. The absorption coefficients in the independent-particle approximation have also been obtained. Comparison between the pure and doped host's absorption coefficients shows that this deeper band opens more photon absorption channels and could therefo:e increase the solar-light absorption with respect to the host.

Más información

ID de Registro: 16123
Identificador DC: http://oa.upm.es/16123/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16123
Identificador DOI: 10.1021/jp306283v
URL Oficial: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp306283v
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 06 Jul 2013 11:54
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:11
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