In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient

Barrigón Montañés, Enrique; Brückner, Sebastian; Supplie, Oliver; Döscher, Henning; Rey-Stolle Prado, Ignacio y Hannappel, Thomas (2013). In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient. "Journal of Crystal Growth", v. 370 ; pp. 173-176. ISSN 0022-0248. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.07.046.

Descripción

Título: In situ study of Ge(100) surfaces with tertiarybutylphosphine supply in vapor phase epitaxy ambient
Autor/es:
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • Brückner, Sebastian
  • Supplie, Oliver
  • Döscher, Henning
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Hannappel, Thomas
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Crystal Growth
Fecha: Mayo 2013
Volumen: 370
Materias:
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

GaInP nucleation on Ge(100) often starts by annealing of the Ge(100) substrates under supply of phosphorus precursors. However, the influence on the Ge surface is not well understood. Here, we studied vicinal Ge(100) surfaces annealed under tertiarybutylphosphine (TBP) supply in MOVPE by in situ reflection anisotropy spectroscopy (RAS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and low energy electron diffraction (LEED). While XPS reveals a P termination and the presence of carbon on the Ge surface, LEED patterns indicate a disordered surface probably due to by-products of the TBP pyrolysis. However, the TBP annealed Ge(100) surface exhibits a characteristic RA spectrum, which is related to the P termination. RAS allows us to in situ control phosphorus desorption dependent on temperature.

Más información

ID de Registro: 16225
Identificador DC: http://oa.upm.es/16225/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16225
Identificador DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.07.046
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024812005428
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Jul 2013 07:32
Ultima Modificación: 01 Jun 2015 22:56
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