In situ control of As dimer orientation on Ge(100) surfaces

Brückner, Sebastian; Supplie, Oliver; Barrigón Montañés, Enrique; Luczak, Johannes; Kleinschmidt, Peter; Rey-Stolle Prado, Ignacio; Döscher, Henning y Hannappel, Thomas (2012). In situ control of As dimer orientation on Ge(100) surfaces. "Applied Physics Letters", v. 101 (n. 12); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4754122.

Descripción

Título: In situ control of As dimer orientation on Ge(100) surfaces
Autor/es:
  • Brückner, Sebastian
  • Supplie, Oliver
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • Luczak, Johannes
  • Kleinschmidt, Peter
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Döscher, Henning
  • Hannappel, Thomas
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Septiembre 2012
Volumen: 101
Materias:
Palabras Clave Informales: annealing, arsenic, elemental semiconductors, germanium, low energy electron diffraction, MOCVD, reflectivity, scanning tunnelling microscopy, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, X-ray photoelectron spectra
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We investigated the preparation of single domain Ge(100):As surfaces in a metal-organic vapor phase epitaxy reactor. In situ reflection anisotropy spectra (RAS) of vicinal substrates change when arsenic is supplied either by tertiarybutylarsine or by background As4 during annealing. Low energy electron diffraction shows mutually perpendicular orientations of dimers, scanning tunneling microscopy reveals distinct differences in the step structure, and x-ray photoelectron spectroscopy confirms differences in the As coverage of the Ge(100): As samples. Their RAS signals consist of contributions related to As dimer orientation and to step structure, enabling precise in situ control over preparation of single domain Ge(100): As surfaces.

Más información

ID de Registro: 16227
Identificador DC: http://oa.upm.es/16227/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16227
Identificador DOI: 10.1063/1.4754122
URL Oficial: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v101/i12/p121602_s1?isAuthorized=no
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Jul 2013 08:20
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:32
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