Impact of MOVPE Environment on Silicon Substrates for III-V-on-Si Multijunction Solar Cells

Garcia Tabares Valdivieso, Elisa; García Vara, Iván; Lelievre, Jean Francoise y Rey-Stolle Prado, Ignacio (2012). Impact of MOVPE Environment on Silicon Substrates for III-V-on-Si Multijunction Solar Cells. "Japanese Journal of Applied Physics", v. 2012 (n. 51); pp.. ISSN 0021-4922. https://doi.org/10.1143/JJAP.51.10ND05.

Descripción

Título: Impact of MOVPE Environment on Silicon Substrates for III-V-on-Si Multijunction Solar Cells
Autor/es:
  • Garcia Tabares Valdivieso, Elisa
  • García Vara, Iván
  • Lelievre, Jean Francoise
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Japanese Journal of Applied Physics
Fecha: Octubre 2012
Volumen: 2012
Materias:
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

With the final goal of integrating III-V materials to silicon for tandem solar cells, the influence of the metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) environment on the minority carrier properties of silicon wafers has been evaluated. These properties will essentially determine the photovoltaic performance of the bottom cell in a III-V-on-Si tandem solar cell device. A comparison of the base minority carrier lifetimes obtained for different thermal processes carried out in a MOVPE reactor on Czochralski silicon wafers has been carried out. The effect of the formation of the emitter by phosphorus diffusion has also been evaluated.

Más información

ID de Registro: 16231
Identificador DC: http://oa.upm.es/16231/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16231
Identificador DOI: 10.1143/JJAP.51.10ND05
URL Oficial: http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/51/10ND05/
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 31 Jul 2013 16:16
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:11
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