Fabrication of GaN nanorods by focused ion beam

Martinez Rodrigo, Javier; Barbagini, Francesca; Bengoechea Encabo, Ana; Albert, Steven; Sánchez García, Miguel Angel y Calleja Pardo, Enrique (2012). Fabrication of GaN nanorods by focused ion beam. "Microelectronic Engineering", v. 98 ; pp. 250-253. ISSN 0167-9317. https://doi.org/10.1016/j.mee.2012.07.006.

Descripción

Título: Fabrication of GaN nanorods by focused ion beam
Autor/es:
  • Martinez Rodrigo, Javier
  • Barbagini, Francesca
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Albert, Steven
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Microelectronic Engineering
Fecha: Octubre 2012
Volumen: 98
Materias:
Palabras Clave Informales: Nanorods, GaN, FIB, Nanotechnology
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Ordered arrays of III-Nitride nanocolumns are excellent candidates for the fabrication of nano-optoelectronic devices. Different technologies such as e-beam lithography or colloidal lithography, have been used to obtain ordered arrays. All these technologies have in common several processing steps that can affect the crystalline growth of the nanocolumns. In this work, we present a single lithographic step that permits to grow ordered GaN nanocolumns with different geometries. The patterning is based in the use of a focused ion beam with different doses. With this method has been possible to create GaN nanopillars and nanocylinders.

Más información

ID de Registro: 16342
Identificador DC: http://oa.upm.es/16342/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16342
Identificador DOI: 10.1016/j.mee.2012.07.006
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931712002870
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 Ago 2013 08:09
Ultima Modificación: 01 Nov 2014 23:56
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