Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content

Romero Rojo, Fátima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, Egidijus y Goldhahn, Rüdige (2012). Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content. "Applied Physics Letters", v. 100 (n. 21); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4720087.

Descripción

Título: Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content
Autor/es:
  • Romero Rojo, Fátima
  • Feneberg, Martin
  • Moser, Pascal
  • Berger, Christoph
  • Bläsing, Jürgen
  • Dadgar, Armin
  • Krost, Alois
  • Sakalauskas, Egidijus
  • Goldhahn, Rüdige
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Mayo 2012
Volumen: 100
Materias:
Palabras Clave Informales: aluminium compounds, electron-hole recombination, excitons, gallium compounds, III-V semiconductors, indium compounds, photoluminescence, semiconductor heterojunctions, two-dimensional electron gas, wide band gap semiconductors
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The luminescence properties of InxAl1−xN/GaN heterostructures are investigated systematically as a function of the In content (x = 0.067 − 0.208). The recombination between electrons confined in the two-dimensional electron gas and free holes in the GaN template is identified and analyzed. We find a systematic shift of the recombination with increasing In content from about 80 meV to only few meV below the GaN exciton emission. These results are compared with model calculations and can be attributed to the changing band profile and originating from the polarization gradient between InAlN and GaN.

Más información

ID de Registro: 16347
Identificador DC: http://oa.upm.es/16347/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16347
Identificador DOI: 10.1063/1.4720087
URL Oficial: http://apl.aip.org/resource/1/applab/v100/i21/p212101_s1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 21 Jul 2013 09:16
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:39
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