Photovoltaic application of O-doped Wittichenite-Cu 3 BiS 3: from microscopic properties to maximum efficiencies

Tablero Crespo, César (2012). Photovoltaic application of O-doped Wittichenite-Cu 3 BiS 3: from microscopic properties to maximum efficiencies. "Progress in Photovoltaics: Research and Applications" ; ISSN 1099-159X. https://doi.org/10.1002/pip.2173.

Descripción

Título: Photovoltaic application of O-doped Wittichenite-Cu 3 BiS 3: from microscopic properties to maximum efficiencies
Autor/es:
  • Tablero Crespo, César
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics: Research and Applications
Fecha: Febrero 2012
Materias:
Palabras Clave Informales: Ionization levels;electronic structure;semiconductors;impurities;photovoltaics
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The electronic properties and the low environmental impact of Cu 3 BiS 3 make this compound a promising material for low-cost thin film solar cell technology. From the first principles, the electronic properties of the isoelectronic substitution of S by O in Cu 3 BiS 3 have been obtained using two different exchange-correlation potentials. This compound has an acceptor level below the conduction band, which modifies the opto-electronic properties with respect to the host semiconductor. In order to analyze a possible efficiency increment with respect to the host semiconductor, we have calculated the maximum efficiency of this photovoltaic absorber material.

Más información

ID de Registro: 16417
Identificador DC: http://oa.upm.es/16417/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16417
Identificador DOI: 10.1002/pip.2173
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.2173/abstract
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 15 Jul 2013 17:21
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:43
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