SiGe/Si nanowire axial heterostructures grown by LPCVD using Ga-Au

Rodríguez Domínguez, Andrés; Rodríguez Rodríguez, Tomás; Ballesteros Pérez, Carmen Inés y Jiménez, J. (2012). SiGe/Si nanowire axial heterostructures grown by LPCVD using Ga-Au. En: "Materials Research Society Symposium Proceedings", 25/11/2012 - 30/11/2012, Boston, USA. pp. 1-6. https://doi.org/10.1557/opl.2013.273.

Descripción

Título: SiGe/Si nanowire axial heterostructures grown by LPCVD using Ga-Au
Autor/es:
  • Rodríguez Domínguez, Andrés
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
  • Ballesteros Pérez, Carmen Inés
  • Jiménez, J.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Materials Research Society Symposium Proceedings
Fechas del Evento: 25/11/2012 - 30/11/2012
Lugar del Evento: Boston, USA
Título del Libro: Materials Research Society Symposium Proceedings
Fecha: 2012
Volumen: 1510
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The use of Ga-Au alloys of different compositions as metal catalysts for the growth of abrupt SiGe/Si nanowire axial heterostructures has been investigated. The heterostructures grown in a continuous process by just switching the gas precursors, show uniform nanowire diameters, almost abrupt compositional changes and no defects between the different sections. These features represent significant improvements over the results obtained using pure Au.

Más información

ID de Registro: 19589
Identificador DC: http://oa.upm.es/19589/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:19589
Identificador DOI: 10.1557/opl.2013.273
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 14 Sep 2013 08:55
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 20:22
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