In situ control of Si(100) and Ge(100) surface preparation for the heteroepitaxy of III-V solar cell architectures

Brückner, Sebastian; Supplie, Oliver; Barrigón Montañés, Enrique; Dobrich, Anja; Luczak, Johannes; Löbbel, Claas; Rey-Stolle Prado, Ignacio; Kleinschmidt, Peter; Döscher, Henning y Hannappel, Thomas (2012). In situ control of Si(100) and Ge(100) surface preparation for the heteroepitaxy of III-V solar cell architectures. En: "8th International Conference on Concetrating Photovoltaic Systems (CPV-8)", 16/04/2012 - 18/04/2012, Toledo, España. pp. 32-35. https://doi.org/10.1063/1.4753827.

Descripción

Título: In situ control of Si(100) and Ge(100) surface preparation for the heteroepitaxy of III-V solar cell architectures
Autor/es:
  • Brückner, Sebastian
  • Supplie, Oliver
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • Dobrich, Anja
  • Luczak, Johannes
  • Löbbel, Claas
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Kleinschmidt, Peter
  • Döscher, Henning
  • Hannappel, Thomas
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 8th International Conference on Concetrating Photovoltaic Systems (CPV-8)
Fechas del Evento: 16/04/2012 - 18/04/2012
Lugar del Evento: Toledo, España
Título del Libro: International Conference on Concetrating Photovoltaic Systems
Fecha: 2012
Volumen: 1477
Materias:
Palabras Clave Informales: annealing, cooling, elemental semiconductors
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Si(100) and Ge(100) substrates essential for subsequent III-V integration were studied in the hydrogen ambient of a metalorganic vapor phase epitaxy reactor. Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) enabled us to distinguish characteristic configurations of vicinal Si(100) in situ: covered with oxide, cleaned by thermal removing in H2, and terminated with monohydrides when cooling in H2 ambient. RAS measurements during cooling in H2 ambient after the oxide removal process revealed a transition from the clean to the monohydride terminated Si(100) surface dependent on process temperature. For vicinal Ge(100) we observed a characteristic RA spectrum after annealing and cooling in H2 ambient. According to results from X-ray photo electron spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy the spectrum corresponds to the monohydride terminated Ge(100) surface.

Más información

ID de Registro: 20042
Identificador DC: http://oa.upm.es/20042/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:20042
Identificador DOI: 10.1063/1.4753827
URL Oficial: http://proceedings.aip.org/resource/2/apcpcs/1477/1/32_1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Sep 2013 07:32
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 22:18
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