Influence of substrate type and orientation on the morphology and optical properties of selective area growth of GaN and InGaN nanocolumns

Sánchez García, Miguel Angel; Albert, Steven; Bengoechea Encabo, Ana; Calleja Pardo, Enrique; Trampert, Achim; Jahn, U.; López, L.L.; Estradé, S.; Rebled, J.M.; Peiró, F.; Nataf, G.; Mierry, P. de y Zuniga Perez, J. (2012). Influence of substrate type and orientation on the morphology and optical properties of selective area growth of GaN and InGaN nanocolumns. En: "2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices,", 21/07/2012 - 22/07/2012, Berlin, Germany.

Descripción

Título: Influence of substrate type and orientation on the morphology and optical properties of selective area growth of GaN and InGaN nanocolumns
Autor/es:
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Albert, Steven
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Trampert, Achim
  • Jahn, U.
  • López, L.L.
  • Estradé, S.
  • Rebled, J.M.
  • Peiró, F.
  • Nataf, G.
  • Mierry, P. de
  • Zuniga Perez, J.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: 2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices,
Fechas del Evento: 21/07/2012 - 22/07/2012
Lugar del Evento: Berlin, Germany
Título del Libro: 2012 German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices,
Fecha: 2012
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

A relevant issue concerning optoelectronic devices based on III-nitrides is the presence of strong polarization fields that may reduce efficiency.

Más información

ID de Registro: 20367
Identificador DC: http://oa.upm.es/20367/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:20367
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 09 Abr 2014 16:17
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 23:07
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