ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells

Gabás, M.; López-Escalante, M.C.; Algora del Valle, Carlos; Rey-Stolle Prado, Ignacio; Galiana Blanco, Beatriz; Palanco, S. y Ramos-Barrado, J.R. (2012). ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells. En: "38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2012", 03/06/2012 - 08/06/2012, Austin, Texas (EEUU). ISBN 978-1-4673-0064-3. pp. 385-389.

Descripción

Título: ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells
Autor/es:
  • Gabás, M.
  • López-Escalante, M.C.
  • Algora del Valle, Carlos
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Galiana Blanco, Beatriz
  • Palanco, S.
  • Ramos-Barrado, J.R.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2012
Fechas del Evento: 03/06/2012 - 08/06/2012
Lugar del Evento: Austin, Texas (EEUU)
Título del Libro: 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2012
Fecha: Junio 2012
ISBN: 978-1-4673-0064-3
Materias:
Palabras Clave Informales: gallium arsenide, heterojunctions, III-V semiconductor materials, X-ray photoelectron spectroscopy, interface analysis.
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (1MB) | Vista Previa

Resumen

In this contribution, angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy is used to explore the extension and nature of a GaAs/GaInP heterointerface. This bilayer structure constitutes a very common interface in a multilayered III-V solar cell. Our results show a wide indium penetration into the GaAs layer, while phosphorous diffusion is much less important. The physico-chemical nature of such interface and its depth could deleteriously impact the solar cell performance. Our results probe the formation of spurious phases which may profoundly affect the interface behavior.

Más información

ID de Registro: 20521
Identificador DC: http://oa.upm.es/20521/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:20521
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6317641
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Oct 2013 18:58
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 23:21
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM