Dielectric behaviour of Hf-doped CaCu3Ti4O12 ceramics obtained by conventional synthesis and reactive sintering

Rubia López, Miguel Ángel de la; Leret Molto, Pilar; Campo García, Ángel Adolfo del; Alonso, Roberto Emilio; López García, Alberto Raúl; Fernández Lozano, José Francisco y Frutos Vaquerizo, José de (2012). Dielectric behaviour of Hf-doped CaCu3Ti4O12 ceramics obtained by conventional synthesis and reactive sintering. "Journal of the European Ceramic Society", v. 32 (n. 8); pp. 1691-1699. ISSN 0955-2219. https://doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2012.01.024.

Descripción

Título: Dielectric behaviour of Hf-doped CaCu3Ti4O12 ceramics obtained by conventional synthesis and reactive sintering
Autor/es:
  • Rubia López, Miguel Ángel de la
  • Leret Molto, Pilar
  • Campo García, Ángel Adolfo del
  • Alonso, Roberto Emilio
  • López García, Alberto Raúl
  • Fernández Lozano, José Francisco
  • Frutos Vaquerizo, José de
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of the European Ceramic Society
Fecha: Julio 2012
Volumen: 32
Materias:
Palabras Clave Informales: CaCu3Ti4012; Reactive sintering; Conventional synthesis; Dielectric properties; HfO2
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Física Aplicada a las Tecnologías de la Información [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

CaCu3(Ti4xHfx)O12 ceramics (JC = 0.04, 0.1 and 0.2) were prepared by conventional synthesis (CS) and through reactive sintering (RS), in which synthesis and sintering of the material take place in one single step. The microstructure and the dielectric properties of Hf-doped CCTO (CCTOHf) have been studied by XRD, FE-SEM, AFM, Raman and impedance spectroscopy (IS) in order to correlate the structure, microstructure and the electrical properties. Samples prepared by reactive sintering show slightly higher dielectric constant than those prepared by conventional synthesis in the same way than the pure CCTO. Dielectric constant and dielectric losses decrease slightly increasing Hf content. For CCTOHf ceramics with x> 0.04 for CS and x> 0.1 for RS, a secondary phase HfTi04 appears. As expected, the reactive sintering processing method allows a higher incorporation of Hf in the CCTO lattice than the conventional synthesis one.

Más información

ID de Registro: 20793
Identificador DC: http://oa.upm.es/20793/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:20793
Identificador DOI: 10.1016/j.jeurceramsoc.2012.01.024
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0955221912000386
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 13 Oct 2013 08:40
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:21
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