High temperature behavior of GaN HEMT devices on Si(111) and sapphire substrates.

Cuerdo Bragado, Roberto; Calle Gómez, Fernando; Braña, A.F.; Cordier, Y.; Azize, M.; Baron, N.; Chenot, S. y Muñoz Merino, Elias (2008). High temperature behavior of GaN HEMT devices on Si(111) and sapphire substrates.. "Physica Status Solidi C Basic Solid State Physics", v. 5 (n. 6); pp. 1971-1973. ISSN 0370-1972. https://doi.org/10.1002/pssc.200778555.

Descripción

Título: High temperature behavior of GaN HEMT devices on Si(111) and sapphire substrates.
Autor/es:
  • Cuerdo Bragado, Roberto
  • Calle Gómez, Fernando
  • Braña, A.F.
  • Cordier, Y.
  • Azize, M.
  • Baron, N.
  • Chenot, S.
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physica Status Solidi C Basic Solid State Physics
Fecha: Mayo 2008
Volumen: 5
Materias:
Palabras Clave Informales: sapphire substrates, high temperature DC performance.
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

A study of the high temperature DC performance of nitride high electron mobility transistors (HEMTs) on Si(111) and sapphire substrates with different gate lengths is reported. All single gate transistors decrease their drain current (ID) and transconductance (gm) from room temperature (RT) up to 350 ºC, mainly due to the electron mobility reduction by optical phonon scattering. At RT, HEMTs on Si(111) present higher ID and gm than transistors on sapphire, probably related to their lower self-heating. As devices are heated, these differences tend to disappear, indicating that the substrate thermal conductivity becomes less important. Compact devices have low relative reduction in ID and gm values with temperature, since shorter gate lengths lead to higher fields under the gate and lower temperature dependence of the drift velocity

Más información

ID de Registro: 2134
Identificador DC: http://oa.upm.es/2134/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2134
Identificador DOI: 10.1002/pssc.200778555
URL Oficial: http://www3.interscience.wiley.com/journal/119139597/issue
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 Feb 2010 10:22
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 11:54
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