Impact of N2 plasma power discharge on AlGaN/GaN HEMT performance

Romero Rojo, Fátima; Jiménez Martín, Ana; González Posadas, Vicente; Martin Horcajo, Sara; Calle Gómez, Fernando y Muñoz Merino, Elias (2012). Impact of N2 plasma power discharge on AlGaN/GaN HEMT performance. "IEEE Transactions on Electron Devices", v. 59 (n. 2); pp. 374-379. ISSN 0018-9383. https://doi.org/10.1109/TED.2011.2176947.

Descripción

Título: Impact of N2 plasma power discharge on AlGaN/GaN HEMT performance
Autor/es:
  • Romero Rojo, Fátima
  • Jiménez Martín, Ana
  • González Posadas, Vicente
  • Martin Horcajo, Sara
  • Calle Gómez, Fernando
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: IEEE Transactions on Electron Devices
Fecha: Febrero 2012
Volumen: 59
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The effects of power and time conditions of in situ N2 plasma treatment, prior to silicon nitride (SiN) passivation, were investigated on an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT). These studies reveal that N2 plasma power is a critical parameter to control the SiN/AlGaN interface quality, which directly affects the 2-D electron gas density. Significant enhancement in the HEMT characteristics was observed by using a low power N2 plasma pretreatment. In contrast, a marked gradual reduction in the maximum drain-source current density (IDS max) and maximum transconductance (gm max), as well as in fT and fmax, was observed as the N2 plasma power increases (up to 40% decrease for 210 W). Different mechanisms were proposed to be dominant as a function of the discharge power range. A good correlation was observed between the device electrical characteristics and the surface assessment by atomic force microscopy and Kelvin force microscopy techniques.

Más información

ID de Registro: 22669
Identificador DC: http://oa.upm.es/22669/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:22669
Identificador DOI: 10.1109/TED.2011.2176947
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6109338
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 Mar 2014 19:25
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 17:40
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