A comprehensive diagram to grow metal-polarity InGaN alloys by molecular beam epitaxy

Gacevic, Zarko; Gómez Hernández, Víctor Jesús; García Lepetit, Noemí; Soto Rodríguez, Paul; Bengoechea Encabo, Ana; Fernández Garrido, Sergio; Nötzel, R. y Calleja Pardo, Enrique (2013). A comprehensive diagram to grow metal-polarity InGaN alloys by molecular beam epitaxy. "Journal of Crystal Growth", v. 364 ; pp. 123-127. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.11.031.

Descripción

Título: A comprehensive diagram to grow metal-polarity InGaN alloys by molecular beam epitaxy
Autor/es:
  • Gacevic, Zarko
  • Gómez Hernández, Víctor Jesús
  • García Lepetit, Noemí
  • Soto Rodríguez, Paul
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Fernández Garrido, Sergio
  • Nötzel, R.
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Crystal Growth
Fecha: Febrero 2013
Volumen: 364
Materias:
Palabras Clave Informales: A1. Composition; A1. Growth diagram; A1. Strain; A1. Surface morphology; A3. Molecular beam; B1. InGaN
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

he composition, strain and surface morphology of (0001)InGaN layers are investigated as a function of growth temperature (460–645 °C) and impinging In flux. Three different growth regimes: nitrogen-rich, metal-rich and intermediate metal-rich, are clearly identified and found to be in correlation with surface morphology and strain relaxation. Best epilayers’ quality is obtained when growing under intermediate metal-rich conditions, with 1–2 monolayers thick In ad-coverage. For a given In flux, the In incorporation decreases with increasing growth temperature due to InN thermal decomposition that follows an Arrhenius behavior with 1.84±0.12 eV activation energy.

Más información

ID de Registro: 22671
Identificador DC: http://oa.upm.es/22671/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:22671
Identificador DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.031
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024812008287
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 16 Mar 2014 11:02
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 17:40
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