Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures

Brazzini, Tommaso; Tadjer, Marko Jak; Gacevic, Zarko; Pandey, Saurabh; Cavallini, Anna; Behmenburg, H.; Giesen, C.; Heuken, M. y Calle Gómez, Fernando (2012). Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures. En: "International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)", 14/10/2012 - 19/10/2012, Sapporo, Japan. pp. 1-3.

Descripción

Título: Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
Autor/es:
  • Brazzini, Tommaso
  • Tadjer, Marko Jak
  • Gacevic, Zarko
  • Pandey, Saurabh
  • Cavallini, Anna
  • Behmenburg, H.
  • Giesen, C.
  • Heuken, M.
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Fechas del Evento: 14/10/2012 - 19/10/2012
Lugar del Evento: Sapporo, Japan
Título del Libro: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Fecha: 2012
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The quaternary nitride-based high electron mobility transistor (HEMT) has been recently a focus of interest because of the possibility to grow lattice-matched barrier to GaN and tune the barrier bandgap at the same time.

Más información

ID de Registro: 22887
Identificador DC: http://oa.upm.es/22887/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:22887
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 22 Mar 2014 12:23
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 20:48
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