Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection

Brazzini, Tommaso; Bengoechea Encabo, Ana; Sánchez García, Miguel Angel y Calle Gómez, Fernando (2012). Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection. En: "International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)", 14/10/2012 - 19/10/2012, Sapporo, Japan. pp. 1-3.

Descripción

Título: Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Autor/es:
  • Brazzini, Tommaso
  • Bengoechea Encabo, Ana
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Otro)
Título del Evento: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Fechas del Evento: 14/10/2012 - 19/10/2012
Lugar del Evento: Sapporo, Japan
Título del Libro: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2012)
Fecha: 2012
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In the last decade the interest in nitride-based sensors (gas, ions...) and bio-sensors is increased. In the case of ion sensitive FET (ISFET), gate voltages induced by ions adsorbed onto the gate region modulate the source-drain currents.

Más información

ID de Registro: 22896
Identificador DC: http://oa.upm.es/22896/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:22896
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Mar 2014 09:41
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 20:50
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