Band bending at In-rich InGaN surfaces

Bailey, L.R.; King, P.D.C.; Veal, T.D.; McConville, Chris F.; Pereiro Viterbo, Juan; Grandal Quintana, Javier; Sánchez García, Miguel Angel; Muñoz Merino, Elias y Calleja Pardo, Enrique (2008). Band bending at In-rich InGaN surfaces. "Journal of Applied Physics", v. 104 (n. 11); pp.. ISSN 0021-8979. https://doi.org/10.1063/1.3033373.

Descripción

Título: Band bending at In-rich InGaN surfaces
Autor/es:
  • Bailey, L.R.
  • King, P.D.C.
  • Veal, T.D.
  • McConville, Chris F.
  • Pereiro Viterbo, Juan
  • Grandal Quintana, Javier
  • Sánchez García, Miguel Angel
  • Muñoz Merino, Elias
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: Enero 2008
Volumen: 104
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The band bending and carrier concentration profiles as a function of depth below the surface for oxidized InxGa1−xN alloys with a composition range of 0.39 ≤ x ≤ 1.00 are investigated using x-ray photoelectron, infrared reflection, and optical absorption spectroscopies, and solutions of Poisson’s equation within a modified Thomas–Fermi approximation. All of these InGaN samples exhibit downward band bending ranging from 0.19 to 0.66 eV and a high surface sheet charge density ranging from 5.0×1012 to 1.5×1013 cm−2. The downward band bending is more pronounced in the most In-rich InGaN samples, resulting in larger near-surface electron concentrations.

Más información

ID de Registro: 2548
Identificador DC: http://oa.upm.es/2548/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2548
Identificador DOI: 10.1063/1.3033373
URL Oficial: http://jap.aip.org/japiau/v104/i11
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 15 Mar 2010 09:46
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:12
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