Temperature-dependent High-Frequency Performance of Deep Submicron Ion-Implanted AlGaN/GaN HEMTs

Cuerdo Bragado, Roberto; Pei, Y.; Recht, F.; Fichtenbaum, N.; Keller, S.; DenBaars, S.P.; Calle Gómez, Fernando y Mishra, U.K. (2008). Temperature-dependent High-Frequency Performance of Deep Submicron Ion-Implanted AlGaN/GaN HEMTs. "Physica Status Solidi C", v. 5 (n. 9); pp. 2994-2997. ISSN 0370-1972. https://doi.org/10.1002/pssc.200779240.

Descripción

Título: Temperature-dependent High-Frequency Performance of Deep Submicron Ion-Implanted AlGaN/GaN HEMTs
Autor/es:
  • Cuerdo Bragado, Roberto
  • Pei, Y.
  • Recht, F.
  • Fichtenbaum, N.
  • Keller, S.
  • DenBaars, S.P.
  • Calle Gómez, Fernando
  • Mishra, U.K.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Physica Status Solidi C
Fecha: Julio 2008
Volumen: 5
Materias:
Palabras Clave Informales: low temperature DC, RF performance, temperatures,parasitic resistances
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

A study of the low temperature DC and RF performance of deep submicron AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) is reported. From 300 K to 100 K both extrinsic transconductance and drain current increase by 30%, mainly due to the lowering of the optical phonon scattering that allows higher electron mobility. Source and drain resistances improve too, which contributes to the 15-20% increase of ft and fmax. The low temperature small signal model has also been extracted accurately at every 50 K. Inductances and capacitances remain constant in the range of temperatures measured. The intrinsic transconductance can be also considered temperature independent, but the output conductance decreases from 300 K to 100 K indicating a better confinement of the 2DEG. The HEMT performance obtained at 100 K can be reached at room temperature by reducing the parasitic resistances and improving the GaN buffer isolation.

Más información

ID de Registro: 2565
Identificador DC: http://oa.upm.es/2565/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2565
Identificador DOI [BETA]: 10.1002/pssc.200779240
URL Oficial: http://www3.interscience.wiley.com/journal/120735622/issue
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 15 Abr 2010 11:32
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:13
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