Electronic structure of copper nitrides as a function of nitrogen content

Gordillo Garcia, Nuria; Gonzalez Arrabal, Raquel; Díaz Chao, Pablo; Ares Fernández, José Ramón; Jiménez Ferrer, Isabel; Ynduráin Muñoz, Félix y Agullo Lopez, Fernando (2013). Electronic structure of copper nitrides as a function of nitrogen content. "Thin Solid Films", v. 531 ; pp. 588-591. ISSN 0040-6090. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.01.030.

Descripción

Título: Electronic structure of copper nitrides as a function of nitrogen content
Autor/es:
  • Gordillo Garcia, Nuria
  • Gonzalez Arrabal, Raquel
  • Díaz Chao, Pablo
  • Ares Fernández, José Ramón
  • Jiménez Ferrer, Isabel
  • Ynduráin Muñoz, Félix
  • Agullo Lopez, Fernando
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Thin Solid Films
Fecha: Marzo 2013
Volumen: 531
Materias:
Palabras Clave Informales: Copper nitride; Electronic structure; Sebeeck coefficient; Density functional theory
Escuela: E.T.S.I. Industriales (UPM)
Departamento: Ingeniería Nuclear [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

he nitrogen content dependence of the electronic properties for copper nitride thin films with an atomic percentage of nitrogen ranging from 26 ± 2 to 33 ± 2 have been studied by means of optical (spectroscopic ellipsometry), thermoelectric (Seebeck), and electrical resistivity measurements. The optical spectra are consistent with direct optical transitions corresponding to the stoichiometric semiconductor Cu3N plus a free-carrier contribution, essentially independent of temperature, which can be tuned in accordance with the N-excess. Deviation of the N content from stoichiometry drives to significant decreases from − 5 to − 50 μV/K in the Seebeck coefficient and to large enhancements, from 10− 3 up to 10 Ω cm, in the electrical resistivity. Band structure and density of states calculations have been carried out on the basis of the density functional theory to account for the experimental results.

Más información

ID de Registro: 25689
Identificador DC: http://oa.upm.es/25689/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:25689
Identificador DOI: 10.1016/j.tsf.2013.01.030
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013001491
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 05 May 2014 17:59
Ultima Modificación: 01 Abr 2015 22:56
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