Photoluminiscence enhancement in quaternay III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content

Fernández-Garrido, Sergio; Pereiro Viterbo, Juan; González-Posada Flores, Fernando; Muñoz Merino, Elias; Calleja Pardo, Enrique; Redondo-Cubero, Andrés y Gago, R. (2008). Photoluminiscence enhancement in quaternay III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content. "Journal of Applied Physics", v. 103 (n. 4); pp.. ISSN 0021-8979. https://doi.org/10.1063/1.2874451.

Descripción

Título: Photoluminiscence enhancement in quaternay III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content
Autor/es:
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Pereiro Viterbo, Juan
  • González-Posada Flores, Fernando
  • Muñoz Merino, Elias
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Redondo-Cubero, Andrés
  • Gago, R.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: Febrero 2008
Volumen: 103
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Room temperature photoluminescence and optical absorption spectra have been measured in wurtzite InxAlyGa1−x−yN (x ∼ 0.06, 0.02<y<0.27) layers grown by molecular beam epitaxy. Photoluminescence spectra show both an enhancement of the integrated intensity and an increasing Stokes shift with the Al content. Both effects arise from an Al-enhanced exciton localization revealed by the S- and W-shaped temperature dependences of the photoluminescence emission energy and bandwidth, respectively. Present results point to these materials as a promising choice for the active region in efficient light emitters. An In-related bowing parameter of 1.6 eV was derived from optical absorption data.

Más información

ID de Registro: 2573
Identificador DC: http://oa.upm.es/2573/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2573
Identificador DOI: 10.1063/1.2874451
URL Oficial: http://jap.aip.org/japiau/v103/i4
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 25 Mar 2010 11:28
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:13
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