Characterization of a Mo/Au thermometer for ATHENA

Parra Borderías, Maria; Fernández Martínez, Ivan; Fábrega, Lourdes; Camón, Agustin; Gil, Oscar; Costa Krämer, Jose L.; Gonzalez Arrabal, Raquel; Sesé, Javier; Bueno, Juan y Briones Fernández-Pola, Fernando (2013). Characterization of a Mo/Au thermometer for ATHENA. "IEEE Transactions on Applied Superconductivity", v. 23 (n. 3); pp. 1-5. ISSN 1051-8223.


Título: Characterization of a Mo/Au thermometer for ATHENA
  • Parra Borderías, Maria
  • Fernández Martínez, Ivan
  • Fábrega, Lourdes
  • Camón, Agustin
  • Gil, Oscar
  • Costa Krämer, Jose L.
  • Gonzalez Arrabal, Raquel
  • Sesé, Javier
  • Bueno, Juan
  • Briones Fernández-Pola, Fernando
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: IEEE Transactions on Applied Superconductivity
Fecha: 2013
Volumen: 23
Palabras Clave Informales: Proximity effect, radiation detectors, transition edge sensors
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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The first dark characterization of a thermometer fabricated with our Mo/Au bilayers to be used as a transition edge sensor is presented. High-quality, stress-free Mo layers, whose thickness is used to tune the critical temperature (TC ) down to 100 mK, are deposited by sputtering at room temperature (RT ) on Si3N4 bulk and membranes, and protected from degradation with a 15-nm sputtered Au layer. An extra layer of high-quality Au is deposited by ex situ e-beam to ensure low residual resistance. The thermometer is patterned on a membrane using standard photolithographic techniques and wet etching processes, and is contacted through Mo paths, displaying a sharp superconducting transition (α ≈ 600). Results show a good coupling between Mo and Au layers and excellent TC reproducibility, allowing to accurately correlate dM o and TC . Since dAu is bigger than ξM for all analyzed samples, bilayer residual resistance can be modified without affecting TC . Finally, first current to voltage measurements at different temperatures are measured and analyzed, obtaining the corresponding characterization parameters.

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ID de Registro: 25854
Identificador DC:
Identificador OAI:
Identificador DOI: 10.1109/TASC.2012.2236140
URL Oficial:
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 21 Sep 2014 08:19
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:38
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